Hbm2e flashbolt หน่วยความจำรุ่นที่ 3 ของ samsung

Samsung เป็นผู้นำระดับโลกในเทคโนโลยีหน่วยความจำขั้นสูงและได้พิสูจน์สิ่งนี้อีกครั้งด้วย FlashboltHBM2E เราบอกคุณภายใน

บริษัท เกาหลีได้ประกาศเปิดตัวหน่วยความจำ รุ่นที่สาม " Flashbolt " ซึ่งเป็นหน่วยความจำ บรอดแบนด์ 2E สิ่งนี้แสดงให้เห็นถึงความก้าวหน้าของภาค HPC ( High Performance Computing ) เนื่องจากหน่วยความจำ 16GB HBM2E ใหม่ ถือเป็น สัญญาที่ยอดเยี่ยม ดังนั้นเราแนะนำให้คุณอย่าปิดหน้าจอเพราะด้านล่างคุณมีรายละเอียดทั้งหมด

Samsung Flashbolt อีกก้าวหนึ่งในอนาคต

หน่วยความจำนี้จะถูกส่ง ตรงไปยังภาคระบบคอมพิวเตอร์ประสิทธิภาพสูง (HPC) และเป็น หน่วยความจำ 16GB HBM2E ใหม่ที่พร้อมให้ผู้ผลิตล่วงหน้าที่พวกเขาต้องการสำหรับ ซูเปอร์คอมพิวเตอร์ ของพวกเขา ดังนั้นการวิเคราะห์ ข้อมูล AI ทั้งหมดจึงเป็นเรื่องโชคดี

Cheol Choi รองประธานบริหารฝ่ายการตลาดและการขายหน่วยความจำได้พูดคำต่อไปนี้:

ด้วยการเปิดตัว DRAM ที่มีประสิทธิภาพสูงสุดในปัจจุบันเรากำลังดำเนินการขั้นตอนสำคัญในการปรับปรุงบทบาทของเราในฐานะผู้นำด้านนวัตกรรมในตลาดหน่วยความจำพรีเมี่ยมที่เติบโตอย่างรวดเร็ว

Samsung จะยังคงปฏิบัติตามคำมั่นสัญญาที่จะมอบโซลูชั่นที่แตกต่างอย่างแท้จริงขณะที่เราเสริมความแข็งแกร่งในตลาดหน่วยความจำระดับโลก

ด้วยรุ่น ก่อนหน้า HBM2E 8GB “ Aquabolt ” ดูเหมือนว่า Flashbolt จะให้ประสิทธิภาพที่เพิ่มขึ้นและประสิทธิภาพการใช้พลังงาน ซึ่งเป็น ก้าวกระโดดครั้ง ใหญ่สำหรับซูเปอร์คอมพิวเตอร์ ความจุ 16 GB นั้นทำได้โดยให้คะแนนแนวตั้ง 8 ชั้นที่ 10 nm DRAM บนชิป

ยิ่งไปกว่านั้นแพคเกจ HBM2E นั้นเชื่อมต่อในการจัดเรียงที่แม่นยำมากกว่า 40, 000 micropumps ผ่านซิลิกอนดังนั้นแต่ละ 16GB จะมี รู มากกว่า 5, 600 ไมโครสโคป

Samsung Flashbolt เสนอ อัตราการถ่ายโอนที่ 3.2 Gbps และมอบหน่วยความจำความเร็วสูง 410 GB / s ต่อสแต็ค ในความเป็นจริง อัตราการ ถ่ายโอนสูงสุด คือ 4.2 Gbps ซึ่งเป็นบรอดแบนด์ 538 GB / s ต่อสแต็ก เรากำลังพูดถึงความก้าวหน้าของการแสดงเกือบสองเท่า

ปล่อย

บริษัท เกาหลีหวังที่จะเริ่มสร้างความทรงจำเหล่านี้ใน 6 เดือนแรกของปี สำหรับตอนนี้มันจะยังคงจำหน่าย Aquabolt รุ่นที่สองต่อไปจนกว่าจะมี Flashbolt HBM2E

เราขอแนะนำ หน่วยความจำ RAM ที่ดีที่สุดในตลาด

แบบอักษร TechPowerUp