ความทรงจำ Ddr5 จะมาถึงเร็ว ๆ นี้และจะเร็วเป็นสองเท่าของ ddr4

ตามประกาศล่าสุดโดย JEDEC องค์กรที่รับผิดชอบในการกำหนดมาตรฐานสำหรับหน่วยความจำแรมใหม่ การพัฒนาหน่วย DDR5 DRAM ใหม่ได้เริ่มขึ้นแล้ว และจะแล้วเสร็จในปีหน้า

หน่วยความจำ DDR5 จะเพิ่มความจุและความเร็วของหน่วยความจำ DDR4 ปัจจุบันเป็นสองเท่า

มาตรฐาน DDR5 ใหม่จะ แทนที่ความทรงจำ DDR4 ปัจจุบัน ซึ่งปัจจุบันใช้ในพีซีและเซิร์ฟเวอร์ รุ่นใหม่จะเร็วเป็นสองเท่าของ DDR4 ในเวลาเดียวกันกับที่มี ความหนาแน่นและความจุ DIMM สองเท่า นั่นคือจะสามารถเก็บ ปริมาณกิกะไบต์ได้สองเท่า เมื่อเทียบกับความทรงจำ DDR4 ปัจจุบัน

นักวิเคราะห์ไม่ได้คาดหวังว่าหน่วยความจำ DDR5 จะได้รับการพัฒนาเร็ว ๆ นี้ แต่คิดว่าสาย DR DR ของ DDR จะทำลายมาตรฐาน DDR4 แต่ การออกแบบของพีซีและเซิร์ฟเวอร์ปัจจุบันไม่ได้เปลี่ยนแปลงมากเกินไปในปีที่ผ่านมา และ ต้องการการอัปเดตในทิศทางเดียวกัน

มันไม่ชัดเจนเมื่อผู้ผลิตฮาร์ดแวร์จะปล่อยหน่วยความจำ DDR5 แต่เช่นเดียวกับไดรฟ์ DDR4 หน่วยความจำ DDR5 ถัดไปจะ ปรากฏขึ้นเป็นครั้งแรกสำหรับเซิร์ฟเวอร์และพีซีประสิทธิภาพสูง (พีซีสำหรับเล่นเกม) และหลังจากนั้นสำหรับแล็ปท็อปหรืออุปกรณ์ โทรศัพท์ (ตัวอย่างเช่น Samsung Galaxy S8 ใหม่นำความทรงจำ LPDDR4)

ในทางกลับกันผู้ผลิตผลิตภัณฑ์ฮาร์ดแวร์กำลังสำรวจ การพัฒนาหน่วยความจำชนิดใหม่เพื่อแข่งขันกับไดรฟ์ DDR5 ปีหน้า Intel จะเริ่มการตลาดหน่วยความจำ DIMM ด้วยเทคโนโลยี Optane ซึ่งอาจจบลงด้วยการเปลี่ยนหน่วย DDR RAM

Optane มีข้อได้เปรียบในการเก็บรักษาข้อมูลแม้ในขณะที่ปิดเครื่องคอมพิวเตอร์สิ่งที่หน่วยความจำอื่นไม่สามารถทำได้

สุดท้าย JEDEC ยังได้ประกาศการพัฒนาข้อกำหนดสำหรับ หน่วยความจำแบบไฮบริดชนิดใหม่ที่เรียกว่า NVDIMM-P ซึ่งเป็นหน่วยความจำแบบถาวรที่รวมการจัดเก็บแฟลชและ DRAM ที่ระเหยได้ในช่อง DIMM หน่วยความจำประเภทนี้มีไว้สำหรับแอปพลิเคชันเช่นฐานข้อมูลซึ่งใช้การผสมผสานของ Flash และ DRAM เพื่อประมวลผลและแคชข้อมูล

ที่มา: PCWorld