ไมครอนผลิตหน่วยความจำ nc olc 8 บิตต่อเซลล์ในปี 2019

สารบัญ:

ไมครอนได้เตรียมความจำ NAND Flash OLC ใหม่ด้วยระดับความหนาแน่น 8 ระดับ
ไมครอนออกมาปฏิเสธข้อมูลนี้ แต่ Wccftech ยังคงแน่วแน่

ไมครอนกำลังทำงานกับ หน่วย ความจำ NAND Flash OLC รุ่นต่อไป ซึ่งจะเสนอระดับ NAND 8 ระดับสำหรับความหนาแน่นของข้อมูลที่สูงขึ้น

ไมครอนได้เตรียมความจำ NAND Flash OLC ใหม่ด้วยระดับความหนาแน่น 8 ระดับ

ในเดือนพฤษภาคม 2561 ไมครอนเปิดตัว เทคโนโลยี NAND (QLC) สี่ระดับ และน่าแปลกใจที่หุ้นของ บริษัท ตกลงสู่ระดับราคาต่ำกว่า $ 30 นี่เป็นผลมาจากระดับราคาที่ซับซ้อนของหน่วยความจำ NAND และปัจจัยด้านอุปสงค์และอุปทานไม่ใช่เพียงการนำเทคโนโลยี QLC มาใช้ ตอนนี้ไมครอนตั้งใจที่จะเผยแพร่ความทรง จำ NAND Octa-Level (OLC) ไม่ว่าจะในไตรมาสแรกหรือไม่ช้ากว่าไตรมาสที่สองของปี 2019

ไมครอนออกมาปฏิเสธข้อมูลนี้ แต่ Wccftech ยังคงแน่วแน่

อย่างไรก็ตาม Wccftech ดูเหมือนจะมีแหล่งข้อมูลใหม่ยืนยันข้อมูลนี้โดยอ้างว่าพันธมิตรไมครอนได้บอกพวกเขาว่าพวกเขา วางแผนที่จะประกาศความทรงจำ NAND Flash OLC ในช่วงครึ่งแรกของปี 2019 ดังนั้นยืนยันความจริงของข้อมูล

ปัจจุบัน หน่วย ความจำ NAND Flash OLC ยังไม่ได้ประกาศดังนั้นแหล่งที่มาไม่เพียง แต่เปิดเผยการมีอยู่ของมัน แต่ยังมีวันที่วางจำหน่ายโดยประมาณ

เทคโนโลยี NAND Flash OLC ของไมครอนจะเสนอ 8 บิตต่อเซลล์เพื่อเพิ่มขึ้น 100% เมื่อเทียบกับ QLC (ต่อเซลล์) และจะเป็นเทคโนโลยีแรกที่มีคุณสมบัติ 1 ไบต์ต่อเซลล์ ความหนาแน่นที่เพิ่มขึ้นนี้เป็นสิ่งที่เกินกว่ากฎของมัวร์ (สมมติว่าขนาดของเซลล์ไม่เพิ่มขึ้นมากเกินไป) และจะเป็นแรงผลักดันให้อุตสาหกรรมและบังคับให้มีการแข่งขันเพื่อให้ได้สิ่งที่คล้ายกัน การเพิ่มความหนาแน่นของข้อมูลในขณะที่ยังคงรักษาขนาดเดิมควรปรับปรุงราคา SSD และดูความจุของไดรฟ์ที่แข็งแกร่ง