Samsung ประกาศความทรงจำใหม่

เทคโนโลยีการจัดเก็บข้อมูล SSD ยังคงพัฒนาอย่างต่อเนื่องในระดับยักษ์และ Samsung เป็นผู้นำระดับแนวหน้าของนวัตกรรมประกาศรุ่นที่ห้าของ V-NAND ซึ่งจะเพิ่ม จำนวนชั้นเป็น 96 ด้วยการเปลี่ยนแปลงการออกแบบอื่น ๆ ค่อนข้างน้อย รุ่นที่ห้าจะรวมแฟลช QLC NAND แรกของซัมซุง (สี่บิตต่อเซลล์) ที่มีความจุ 1TB (128 GB) ต่อดาย

ความทรงจำ V-NAND 96 ชั้น: พื้นที่เก็บข้อมูลเพิ่มเติมความทนทานและการสิ้นเปลืองน้อยลง

เมื่อปีที่แล้ว Samsung ได้ประกาศ 3D NAND รุ่นที่สี่ด้วยการออกแบบ 64 ชั้น V-NAND รุ่นที่สี่นี้อยู่ในขั้นตอนการผลิตและจะถูกใช้ในหลาย ๆ ผลิตภัณฑ์ในอีกไม่กี่เดือนข้างหน้า ผลิตภัณฑ์ส่วนใหญ่จะใช้อาร์เรย์ TLC 256GB หรือ 512GB เมื่อเปรียบเทียบกับ V-NAND รุ่นที่สาม 48 ชั้น V-NAND 64 ชั้นมีประสิทธิภาพการอ่านที่เหมือนกัน แต่ประสิทธิภาพการเขียนสูงขึ้นประมาณ 11%

การใช้พลังงานได้รับการปรับปรุงให้ดีขึ้นอย่างมีนัยสำคัญโดยที่กระแสไฟฟ้าที่จำเป็นสำหรับการดำเนินการอ่านลดลง 12% และสำหรับการใช้งานโปรแกรมการ ใช้พลังงานที่ต้องการลดลง 25% Samsung อ้างว่า V-NAND 64 ชั้นในการกำหนดค่า TLC สามารถใช้งานได้ตั้งแต่ 7, 000 ถึง 20, 000 โปรแกรม / ลบรอบดังนั้นหน่วยความจำ 96 ชั้นใหม่นี้จะมีอายุการใช้งานที่ยาวนานขึ้น

ประกาศ SSD ของ Samsung ที่ใช้เทคโนโลยี V-NAND ก่อนหน้านี้รวมถึง SSD SSD ขนาด 2.5 Q 128TB QLC สำหรับหน่วยนี้ซัมซุงจะซ้อน 32 เมทริกซ์ต่อแพ็คเกจรวมเป็น 4TB สำหรับอุปกรณ์ BGA แต่ละตัว

นี่เป็นขั้นตอนใหม่ในอนาคตอันใกล้นี้ เพื่อเริ่มที่จะเกษียณไดรฟ์เก็บข้อมูลแม่เหล็ก

ที่มา: anandtech