Sk hynix แสดง 4d nand เพียงเท่ากับ 3d nand ของผู้ผลิตรายอื่น

สงครามอยู่ในตลาดหน่วยความจำแฟลชและการแข่งขันเพื่อเสนอสิ่งที่ดีที่สุดในราคาต่ำสุดนั้นดุร้าย วันนี้เรากำลังพูดถึง Intel QLC SSD ตัว ใหม่ ตอนนี้ที่ Flash Memory Summit ได้เกิดขึ้นแล้วผู้ผลิต NAND SK Hynix ได้ ประกาศสิ่งที่เรียกว่า "4D NAND" ซึ่งเป็นสิ่งที่ดูเหมือนรูปแบบการตลาดมากกว่าเทคโนโลยีการปฏิวัติ

4D NAND: ไม่มีอะไรใหม่

มันไม่มีความลับการใช้ชื่อและยี่ห้อพิเศษเพื่อพยายามทำเทคโนโลยีบางอย่างที่ คล้ายคลึงกับที่มีอยู่แล้ว 'แตกต่าง' และเป็นกลยุทธ์ที่ใช้กันอย่างแพร่หลายในโลกของเทคโนโลยี ตามพอร์ทัลฮาร์ดแวร์ของทอม "4D NAND" ใหม่ของ Hynix ไม่มีอะไรมากไปกว่า 3D NAND ที่ได้รับการปรับปรุงเล็กน้อย

หน่วยความจำแฟลชประกอบด้วยสององค์ประกอบ: เซลล์และอุปกรณ์ต่อพ่วง ในกรณีของ 3D NAND เซลล์ (เรียกว่า CTF) จะเรียงซ้อนกันในแนวตั้งเพื่อ ให้ได้เปรียบต่าง ๆ มากกว่า 2D NAND แบบดั้งเดิมซึ่งเซลล์นั้นเรียกว่า FG หรือ Floating Gate พวกเขา มีความหนาแน่นของข้อมูลที่สูงขึ้นโดยไม่ทำให้ความทนทานลดลง (เพิ่มขึ้น ตามผู้ผลิต) ประสิทธิภาพการใช้พลังงานที่สูง ขึ้น สิ่งที่ Hynix เรียกว่า "4D NAND" ประกอบด้วย การวางอุปกรณ์ต่อพ่วงไว้ใต้ เซลล์ แทนที่จะติดกับมัน ทำให้ชิปมีขนาดเล็กลงและต้นทุนลดลง สิ่งนี้เรียกว่า PUC หรือ "Periphery Under Cell" จนถึงตอนนี้ดีใช่มั้ย

ตามที่ปรากฏออกมาสิ่งนี้ ได้ทำไปแล้วระยะหนึ่ง โดยผู้ผลิต Toshiba / Western Digital และ Samsung มันไม่มีอะไรสำคัญไปกว่าการวิวัฒนาการเล็ก ๆ ที่ทำให้ NAND ของ Hynix สอดคล้องกับของผู้ผลิตสองรายนี้อย่างน้อยก็ในแง่มุมที่เฉพาะเจาะจงนี้

ดังที่เราได้กล่าวไปแล้วนี่ไม่ได้ทำให้ Hynix เป็น บริษัท ที่“ โหดร้าย ” (เรียกอย่างใด) พวกเขาเพียงทำเช่นเดียวกับ แบรนด์และผู้ผลิตจำนวนมาก แต่จำเป็นต้องรายงานเพราะ Hynix ไม่ได้นำ NAND ไปใช้ มิติที่สี่

นอกเหนือจาก 3D NAND ที่ปรับปรุงแล้ว SK Hynix ยังแสดงแผนงานที่พวกเขาวางแผนที่จะเข้าถึงอย่างน้อย 128 ชั้นหรือ“ สแต็ค” ของ NAND ในอนาคตอันใกล้นี้มีความหนาแน่นที่จะเพิ่มขึ้นในช่วงหลายปีที่ผ่านมา ในช่วงปี 2018 นี้พวกเขาจะเปิดตัว "4D NAND" 96 เลเยอร์ และ QLC ของพวกเขาจะเปิดตัวในปี 2018 ซึ่งค่อนข้างอยู่เบื้องหลังผู้ผลิตรายอื่นที่ขายหรือเปิดตัวความทรงจำเหล่านี้ในปีนี้

Tom's Hardware ตัวอักษร