▷ประเภทของหน่วยความจำ nand ใน ssd: slc, mlc, tlc และ qlc

สารบัญ:

ความทรงจำ SLC, MLC, TLC และ QLC
SLC (เซลล์ระดับเดียว)
MLC (เซลล์หลายระดับ)
TLC (ระดับเซลล์สามเท่า)
QLC (ระดับเซลล์สี่เท่า)

หนึ่งในองค์ประกอบที่สำคัญที่สุดของ SSD คือหน่วยความจำ NAND ที่มีอยู่ภายในซึ่งประสิทธิภาพและคุณสมบัติของ SSD นั้นขึ้นอยู่กับส่วนใหญ่ ในบทความนี้เราจะตรวจสอบ หน่วย ความจำ NAND สี่ประเภทที่เราสามารถหาได้จาก SSD

ดัชนีเนื้อหา

ความทรงจำ SLC, MLC, TLC และ QLC

หน่วยความจำแฟลช NAND ประกอบด้วยเซลล์จำนวนมากที่มีบิต และบิตเหล่านั้นเปิดหรือปิดผ่านประจุไฟฟ้า วิธีการจัดระเบียบเซลล์เปิด / ปิดเหล่านั้นแสดงถึงข้อมูลที่เก็บไว้ใน SSD จำนวนบิตในเซลล์เหล่านั้น ยัง กำหนดการตั้งชื่อ NAND เช่น Single Level Cell Flash (SLC) มีบิตเดียวในแต่ละเซลล์

เหตุผลที่ SLC มีให้เฉพาะที่ความจุต่ำกว่านั้นเกิดจากแฟลช NAND ขนาดใหญ่บนแผงวงจรพิมพ์ (PCB) อย่าลืมว่าแผงวงจรจะต้องมีคอนโทรลเลอร์หน่วยความจำ DDR ที่แคชและหน่วยความจำ NAND ที่จะเก็บข้อมูลผู้ใช้ หน่วยความจำ MLC สองเท่าของจำนวนบิตต่อเซลล์ในขณะที่ TLC เพิ่มขึ้นสามเท่าและ QLC คูณด้วยสี่

มีสาเหตุบางประการที่ทำให้ผู้ผลิตสร้างหน่วยความจำแฟลชด้วยเซลล์เพียงหนึ่งบิตต่อหนึ่งเซลล์เช่น SLC SLC มีข้อได้เปรียบในการเป็นหน่วยความจำที่เร็วที่สุดและทนทานที่สุด แต่มีข้อเสียของการมีราคาแพงกว่าและไม่สามารถใช้งานได้ในพื้นที่จัดเก็บที่สูงขึ้น นั่นเป็นเหตุผลว่าทำไม SLC จึงเป็นที่นิยมสำหรับการใช้งานหนัก

หน่วยความจำ MLC, TLC และ QLC นั้นมีราคาถูกกว่า เมื่อเปรียบเทียบกับ SLC และมีอยู่ในความจุหน่วยเก็บข้อมูลขนาดใหญ่ แต่มีอายุการใช้งานที่สั้นกว่าและความเร็วในการอ่าน / เขียนที่ช้ากว่า MLC และ TLC เป็นที่ต้องการสำหรับการใช้งานประจำวันของผู้บริโภค

ที่นี่เราตรวจสอบคุณสมบัติที่สำคัญที่สุดของหน่วยความจำแฟลช NAND สี่ประเภทหลัก:

SLC (เซลล์ระดับเดียว)

NAND SLC ตั้งชื่อตามบิตเฉพาะที่สามารถเปิดหรือปิดได้เมื่อโหลด NAND ประเภทนี้ มีความได้เปรียบในการอ่านและเขียนข้อมูลที่แม่นยำที่สุดและยังมีข้อได้เปรียบของการอ่านและเขียนข้อมูลที่ยาวนานที่สุด วงจรชีวิตการอ่าน / เขียนของโปรแกรมคาดว่าจะอยู่ระหว่าง 90, 000 ถึง 100, 000 NAND ประเภทนี้ทำงานได้ดีเป็นพิเศษในตลาดธุรกิจเนื่องจากอายุการใช้งานความแม่นยำและประสิทธิภาพโดยรวม คุณจะไม่เห็นคอมพิวเตอร์ที่บ้านด้วย NAND ประเภทนี้มากเกินไปเนื่องจากมีราคาสูงและความจุต่ำ

จุดเด่น:

มันมีอายุการใช้งานยาวนานที่สุดและชาร์จไฟรอบแฟลชชนิดอื่น ๆ ห้องที่เล็กและเชื่อถือได้มากขึ้นสำหรับข้อผิดพลาดในการอ่าน / เขียนมันสามารถทำงานในช่วงอุณหภูมิที่กว้างขึ้น

จุดด้อย:

แฟลช NAND ที่แพงที่สุดในท้องตลาดมักมีเฉพาะในขนาดที่เล็กกว่าเท่านั้น

แนะนำสำหรับ:

การใช้งานในอุตสาหกรรมและปริมาณงานที่ต้องใช้รอบการอ่าน / เขียนที่รุนแรงเช่นเซิร์ฟเวอร์

MLC (เซลล์หลายระดับ)

MLC ตามชื่อแนะนำ เก็บข้อมูลหลายบิตในเซลล์ ข้อได้เปรียบที่สำคัญของสิ่งนี้คือต้นทุนการผลิตที่ต่ำกว่าเมื่อเปรียบเทียบกับหน่วยความจำ NAND SLC ที่ผลิต ต้นทุนการผลิตแฟลชที่ลดลงโดยทั่วไปจะถูกส่งต่อไปยังผู้บริโภคและด้วยเหตุนี้จึงเป็นที่นิยมในหลาย ๆ แบรนด์ NAND MLC เป็นที่ต้องการสำหรับ SSD สำหรับผู้บริโภคเนื่องจากต้นทุนที่ต่ำกว่า แต่อายุการอ่าน / เขียนข้อมูลสั้นกว่า SLC

จุดเด่น:

ลดต้นทุนการผลิตให้กับผู้บริโภคเชื่อถือได้มากกว่าแฟลช TLC

จุดด้อย:

ไม่คงทนและเชื่อถือได้เหมือน บริษัท SLC หรือ SSD

แนะนำสำหรับ:

การใช้ชีวิตประจำวันของผู้บริโภคนักเล่นเกมและผู้ที่ชื่นชอบ

TLC (ระดับเซลล์สามเท่า)

ด้วยการจัดเก็บ 3 บิตต่อเซลล์ TLC เป็นวิธีที่ประหยัดมากในการผลิต NAND ข้อเสียที่ใหญ่ที่สุดของแฟลชประเภทนี้คือมันเหมาะสำหรับการใช้งานของผู้บริโภคเท่านั้นและไม่สามารถตรงตามมาตรฐานสำหรับการใช้งานในอุตสาหกรรม อายุการอ่าน / เขียนสั้นลงอย่าง มาก 3, 000 ถึง 5, 000 รอบต่อเซลล์

จุดเด่น:

ถูกกว่าที่จะทำซึ่งจะนำไปสู่ SSD ที่ถูกกว่าออกสู่ตลาด

จุดด้อย:

เซลล์จะอยู่รอดในวงจรการอ่าน / เขียนที่น้อยลงเมื่อเทียบกับ MLC NAND ซึ่งหมายความว่าแฟลช TLC นั้นเหมาะสำหรับผู้ใช้งานเท่านั้น

แนะนำสำหรับ:

การใช้งานของผู้บริโภครายวันเครื่องเว็บ / อีเมลเน็ตบุ๊กและแท็บเล็ต

QLC (ระดับเซลล์สี่เท่า)

หน่วยความจำประเภทนี้ ใช้ขั้นตอนใหม่โดยการจัดเก็บ 4 บิตต่อเซลล์ ทำให้เป็นหน่วยความจำที่มีความหนาแน่นในการจัดเก็บสูงสุดและเป็นหนึ่งในการผลิต SSD ที่ถูกที่สุด ข้อเสียคืออายุการใช้งานสั้นกว่า TLC หน่วยความจำประเภทนี้เป็นรุ่นล่าสุดดังนั้นจึงแทบไม่มีอุปกรณ์ใด ๆ ที่ใช้งาน

จุดเด่น: